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iPhone6 Plus召回?

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   近日一則:「128G的iPhone6/Plus 會莫名崩潰,恐導致大規模召回。」的新聞在網上瘋傳,並且引起了不少蘋果用戶的擔心,尤其是那些根據「要買就買頂配」的買買買原則而選擇了 128G的iPhone的用戶。不過新聞內容卻引起了筆者的好奇,根據報道內容:

  “引起 iPhone崩潰的原因竟然是NAND FLASHMEMORY(閃存)模塊中IC控制單元出現故障,並且蘋果為了減少成本使用了低價的NAND TLC FLASH MEMORY而非成本更高、速度更快的NAND MLC FLASH MEMORY。因此當用戶安裝超過700個App時,iPhone便會自己崩潰,更令消費者感到擔憂的是最新的iOS8.1更新中這個問題並未解決,問題是出在硬件上。”

iPhone6 Plus召回?  

  NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什麼?

  首先FLASH MEMORY作為閃存設備,是手機類設備的重要存儲介質,由日本的東芝公司於1984年發明。在 FLASH MEMORY中又分為NOR FLASH和NAND FLASH兩種常見的類型,其中NOR FLASH屬於第一代產品,第一款商用產品是 1988年Intel公司所制造的 NOR FLASH 芯片,不過由於抹寫時間較長,成本較高的原因,NOR FLASH很快被NAND FLASH取代。NAND FLASH同樣是有東芝公司發明,在1988年的國際固態電路研討會(ISSCC)所發布。NAND FLASH具有較快的抹寫時間, 而且每個存儲單元的面積也較小,這讓NAND FLASH相較於NOR FLASH具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時它的可抹除次數也高出NOR FLASH十倍。

  在FLASH模塊中,數據被存儲在由浮閘晶體管組成的記憶單元數組內,在單階存儲單元(Single-level cell, SLC)設備中,每個單元只存儲1比特的信息,這簡稱為SLC NAND FLASH,其優點是傳輸速度更快,功率消耗更低和存儲單元的壽命更長,不過缺點也很明顯:每個存儲單元包含的信息較少,其每百萬字節需花費較高的成本來生產,因此不利於實際生產。而多階存儲單元(Multi-level cell, MLC)設備則利用多種電荷值的控制讓每個單元可以存儲2比特以上的數據,其「多階」指的是電荷充電有多個能階(即多個電壓值),如此便能存儲多個比特的值於每個存儲單元中。借由每個存儲單元可存儲更多的比特,MLC 閃存可降低生產成本,但比起SLC閃存,其傳輸速度較慢,功率消耗較高和存儲單元的壽命較低,因此MLC閃存技術會用在標准型的儲存卡中。而這一次被韓國媒體猛烈抨擊的三階儲存單元(Triple-Level Cell, TLC)TLC閃存,它的架構原理與MLC類似,但可以在每個儲存單元內儲存3個信息比特。TLC的寫入速度比SLC和MLC慢,壽命也比SLC和MLC短,大約1000次,但是可以做到大容量和低價格。現在,廠商已不使用TLC這個名字,而是稱其為3-bit MLC。

  iPhone中到底用了什麼FLASH MEMORY

  在韓國媒體的報道中「iPhone 不僅使用了成本更低的 NAND TLC FLASH,更重要的是在其控制集成電路(IC)出現了故障。」在iPhone 內部,這塊IC主要任務是其他電子元器件和NAND之間的調度和控制,保證數據的正常寫入和讀取,平時用戶不管是拍照還是使用應用都離不開它。

  那麼實際情況是否如韓國媒體報道的那樣?帶著好奇,筆者查閱ifixit的拆機資。根據16G的真機實拆圖顯示,其采用來自韓國的海力士(SKhynix)的NAND FLASH,型號為 H2JTDG8UD1BMS。(圖中紅色部分)

  這顆NAND FLASH在海力士的技術文檔中被歸為E2NAND 3.0,是由SK Hynix和Anobit合作開發的,而Anobit早已被蘋果收購,致力於提高閃存的穩定性。雖然海力士並未明確標注H2JTDG8UD1BMS的類型,但是在全球領先的微電子服務網站TechInsights上,H2JTDG8UD1BMS被明確規范為NAND MLC FLASH MEMORY。

  因此此次韓國媒體存在著失實情況,iPhone 6 Plus所使用的就是NAND MLC FLASH MEMORY,而非所謂的廉價NAND TLC FLASH MEMORY。而至於這塊FLASH中的控制 IC是否存在問題,目前蘋果官方並未出面解釋,在其他媒體上也未見反映,因此需要進一步確認。

  這則新聞的背後

  雖然iPhone 6 Plus中的技術細節已經排查清楚,那麼為什麼這樣一則不實新聞會出現呢?筆者接著進行了排查。

  這則新聞最先出現於韓國媒體BusinessKorea,蹊跷的是BusinessKorea引援的內容均來自蘋果論壇上的同一個用戶,他在總計159篇的討論帖中都反映了128G iPhone 6 Plus的自動崩潰問題。

  顯然在這個過程中BusinessKorea存在著明顯的缺失,新聞事實明顯不足,證據單一,說服力較低。除此之外,也沒有查明iPhone 6 Plus 的真實元器件,輕易得出了128G iPhone 6 Plus 采用NAND TLC FLASH MEMORY的錯誤結論。

  雖然蘋果官方已經表態,不存在128G iPhone 6 Plus大規模自動崩潰的現象,更不可能大規模召回,但是這則失實新聞對不少蘋果用戶還是造成不小的影響。在筆者的實際使用過程中,iPhone 6 確實出現過程序崩潰的現象,但是次數十分少見,多為越獄後插件沖突所致,而在日常生活中和媒體上更是從未見過高頻率的崩潰現象,因此各位128G的土豪用戶大可放心,只是各家媒體長點心吧!不要一味了眼球而不負責任的轉載。

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